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干法蝕刻技術淺談(三氯化硼蝕刻)

作者: 百度百科 來源: 百度百科 時間:2018年12月05日
  自從1948年發明晶體管之后出現集成電路,半導體器件蝕刻工藝對各種材料進行不同的化學腐蝕來產生線路,但是當線路的尺寸進入微米的時候,濕法蝕刻已無法滿足精度和重復性。直到半導體干法蝕刻的發展,使用輝光放電產生的氣體等離子來進行腐蝕加工,成為了半導體線路的微化時代。干法蝕刻成為了半導體決定性的革命技術。
  
  蝕刻,是將顯影后產生的光阻圖案轉印到光阻下的材料上,形成光刻后的線路圖形。濕法蝕刻具有蝕刻材料與光阻及下層材料較優的選擇比,但是化學反應并沒有方向性,濕法蝕刻會造成overcut,undercut等現象,導致圖型不佳。
  
  隨著晶圓尺寸變大,線路越來越小,還須要有更高的重復性,干法蝕刻成為如今能夠有效的在高良率下工作的工藝,干法蝕刻采用等離子蝕刻技術,使用輝光放電來進行圖形轉印。
  
  我們提供干法蝕刻所使用的各種氣體,其中三氯化硼(BCl3)為我公司強而有力的產品之一,提供半導體級高純度三氯化硼(BCl3)的產品,歡迎來電洽詢。
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