自從1948年發明晶體管之后出現集成電路，半導體器件蝕刻工藝對各種材料進行不同的化學腐蝕來產生線路，但是當線路的尺寸進入微米的時候，濕法蝕刻已無法滿足精度和重復性。直到半導體干法蝕刻的發展，使用輝光放電產生的氣體等離子來進行腐蝕加工，成為了半導體線路的微化時代。干法蝕刻成為了半導體決定性的革命技術。
　　
　　蝕刻，是將顯影后產生的光阻圖案轉印到光阻下的材料上，形成光刻后的線路圖形。濕法蝕刻具有蝕刻材料與光阻及下層材料較優的選擇比，但是化學反應并沒有方向性，濕法蝕刻會造成overcut，undercut等現象，導致圖型不佳。
　　
　　隨著晶圓尺寸變大，線路越來越小，還須要有更高的重復性，干法蝕刻成為如今能夠有效的在高良率下工作的工藝，干法蝕刻采用等離子蝕刻技術，使用輝光放電來進行圖形轉印。
　　
　　我們提供干法蝕刻所使用的各種氣體，其中三氯化硼(BCl3)為我公司強而有力的產品之一，提供半導體級高純度三氯化硼(BCl3)的產品，歡迎來電洽詢。